BIETE: Plasmaätzprozess für Galliumnitrid

Angebot: Patent
Elektronik und Elektrotechnik / Material- und Werkstofftechnik

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von Nanosäulen aus einem Galliumnitrid-Substrat, bei dem ein Ätzgas verwendet wird, das Wasserstoff und Schwefelhexafluorid enthält. Ein solcher Prozess kann zum Herstellen von Leuchtdioden oder anderen optischen Bauteilen benutzt werden.
Vorteile
- Ätzprozess für Galliumnitrid
- Ohne Verwendung von Chlor
- Hohe Ätzraten